2025
11/20
本篇文章來自
捷多邦
堿性蝕刻工序在IPC-6012標準中被定義為形成最終電路圖形的關鍵工藝。該技術通過氨基蝕刻液的選擇性腐蝕，精確去除非線路區(qū)域的銅箔，形成設計要求的電路圖形。
根據(jù)IPC-6012標準要求，蝕刻后的線路應保持邊緣整齊，無蝕刻不足或過度蝕刻現(xiàn)象。蝕刻因子的控制尤為關鍵，通常要求達到3.0以上。在實際生產(chǎn)中，蝕刻液的銅離子濃度需控制在120-160g/L，pH值維持在8.0-8.5，溫度控制在50-55℃。
在捷多邦的工藝控制中，我們通過實時監(jiān)測蝕刻速率，確保其穩(wěn)定在45-55μm/min范圍內(nèi)。每批次產(chǎn)品都會進行線寬測量，確保其符合設計要求的±10%公差范圍。這種嚴格的過程控制使得我們能夠穩(wěn)定生產(chǎn)線寬/線距達3/3mil的精密電路板。
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