2013
12/11
本篇文章來自
捷多邦
以下為一款PS61040典型應(yīng)用電路圖。
TPS61040/41內(nèi)部MOSFET開關(guān)Q1導(dǎo)通，并逐步增加了從VIN通過L1、Q1和內(nèi)部電流檢測電阻RSENSE的電流量。
TPS61040/41的FB(反饋)腳檢測輸出電壓，只要反饋電壓低于參考電壓(典型值1.233V)，則內(nèi)部Q1導(dǎo)通，電流增大;當(dāng)電感L1電流達(dá)到內(nèi)部設(shè)置峰值電流ILM(TPS61040為400mA或TPS61041為250mA)時Q1截止，另外為應(yīng)付極端條件以限制最大導(dǎo)通時間，在最大導(dǎo)通時間超過6μs(典型值)時Q1也會截止。TPS61040/41外接元件決定了Q1的關(guān)斷時間。
為了維持運行以及設(shè)定Q1的關(guān)斷時間，TPS61040/41內(nèi)部控制器必須用Q1和RSENSE監(jiān)測通過L1的電流。當(dāng)關(guān)斷Q1時，流過L1的電流中斷會升高電感上的電壓，使外部的肖特基二極管D1正偏并導(dǎo)通，D1作續(xù)流二極管保證電流輸出，為輸出電容器C1充電至一個較高電壓，這個電壓高于單獨的輸入電壓VIN。
開關(guān)管關(guān)斷至少要保持400ns(典型值)，或者反饋電壓又低于參考電壓時才導(dǎo)通。輸入電壓、L1以及通過RSENSE的預(yù)設(shè)峰值電流都會影響Q1的導(dǎo)通時間。
PS61040典型應(yīng)用電路圖
the end
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